金融界2024年12月12日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“对准标记及其形成方法”的专利，公开号CN119108378A，申请日期为2023年6月。
专利摘要显示，一种对准标记及其形成方法，对准标记包括：相邻设置的第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记和第二对准标记相间隔，所述第一对准标记包括多个沿第一方向延伸且间隔平行排布的第一矩形子对准标记，所述第一矩形子对准标记的排布方向与所述第一方向相垂直，所述第二对准标记包括多个沿第二方向延伸且间隔平行排布的第二矩形子对准标记所述第二矩形子对准标记的排布方向与所述第二方向相垂直；其中，所述第一矩形子对准标记在所述第一方向上的延伸线与所述第二矩形子对准标记在所述第二方向上的延伸线相交。提高了对准标记的性能，进而提高了对准标记的形成质量。
本文源自：金融界